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DL15-HDVLF超低频高压发生器

  • 发布时间:2024-09-01
  • 访问次数:568
  • 生产地址:上海宝山
  • 厂商性质:生产厂家

DL15-HDVLF超低频高压发生器接合了现代数字变频先进技术,采用微机控制,升压、降压、测量、保护*自动化。超低频高压发生器由于全电子化,所以体积小重量轻、大屏幕液晶显示,清晰直观、且能显示输出波形、打印试验报告。

DL15-HDVLF超低频高压发生器

《超低频高压发生器通用技术条件 DL/T849.4-2004》要求,电力预防性试验项目中把电力设备的耐压分为工频耐压、变频耐压和超低频耐压,其中0.1HZ超低频预防性耐压技术是电工委员会推荐的低频耐压技术, DL15-HDVLF主要用于大容量的电气试验设备(例如: 电力电缆试验、 电力电容器试验、大中型发电机试验以及电动机试验等)的耐压试验。按功能上分为程控和智能,按范围分30kv和50kv。自上市以来,用户充分认何。

DL15-HDVLF超低频高压发生器            

型号:DL15-HDVLF-30-1.1

一 超低频系列产品及选用

1、超低频系列产品 1

型号 额定电压 带载能力 电源保险管 重量 用途

HDVLF-30/1.1 30KV

(峰值) 0.1Hz,1.1µF 10A 控制器:4

升压体:25 10KV电缆

发电机

  0.05Hz,2.2µF 

  0.02Hz,5.5µF 

HDVLF-50/5 50KV

(峰值) 0.1Hz,5µF 55A 控制器:5

升压体:55 用于电缆故障的烧穿

   0.05Hz,10µF 

   0.02Hz,25µf 

HDVLF-80/1.1 80KV

(峰值) 0.1Hz,1.1µF 30A 控制器:5

升压体:45 35KV电缆

发电机

   0.05Hz,2.2µf 

   0.02Hz,5.5µf 

2、根据被试对向选择适当规格的产品。

使用时,试品电容量不得超过仪器的额定容量。试品电容量过小,会影响输出波形。若小于0.05µF,仪器将不能正常输出。可并联0.1 µF的电容辅助输出。下面是一些设备的电容量,供用户参考。

不同发电机的单相对地电容量 2

    

发电机容量

MW 200 300 600 85 125-150 300 400

单相对地电容(µF 0.2-0.25 0.18-0.26 0.31-0.34 0.69 1.8-1.9 1.7-2.5 2.0-2.5

交联聚乙烯绝缘单芯电力电缆的电容量(µF/Km) 3

截面

   mm2

µF/Km

电压kV 16 25 35 50 70 95 120 150 185 240 270

10 0.15 0.17 0.18 0.19 0.21 0.24 0.26 0.28 0.32 0.38 -

35 - - - 0.11 0.12 0.13 0.14 0.15 0.16 0.17 0.19

3、试品电流的估算方法:

计算公式: I=2πfCU

二 产品简介

本产品接合了现代数字变频先进技术,采用微机控制,升压、降压、测量、保护*自动化,并且在自动升压过程中能进行人工干预。由于全电子化,所以体积小重量轻、大屏幕液晶显示,清晰直观、且能显示输出波形、打印机输出试验报告。设计指标*符合《电力设备测试仪器通用技术条件,第4部分:超低频高压发生器通用技术条件》电力行业标准,使用十分方便。现在国内外均采用机械式的办法进行调制和解调产生超低频信号,所以存在正弦波波形不标准,测量误差大,高压部分有火花放电,设备笨重,而且正弦波的二,四象限还需要大功率高压电阻进行放电整形,所以设备的整体功耗较大。本产品均能克服这样一些不足之处,另外,还有如下特点需要特别说明:

 电流、电压、波形数据均直接通过高压侧采样获得,所以数据真实、准确。

 过压保护:当输出超过所设定的限压值时,仪器将停机保护,动作时间小于20毫秒。

 过流保护:设计为高低压双重保护,高压侧可按设定值进行精

确停机保护;低压侧的电流超过额定电流时将进行停机保护,动作时间都小于20毫秒。

 高压输出保护电阻设计在升压体内,所以外面不需另接保护阻。

 由于采用了高低压闭环负反馈控制电路,所以输出无容升效应。

三 技术参数

1.输出额定电压:参见表1

2.输出频率:0.1Hz0.05Hz0.02Hz

3.带载能力: 0.1 Hz zui大1.1µF

0.05 Hz zui大2.2µF

0.02 Hz zui大5.5µF

4.测量精度:3%

5.电压正,负峰值误差:≤3%

6.电压波形失真度:≤5%

7.使用条件:户内、户外;温度:-10℃∽+40℃;

湿度:≤85RH

8.电源:交流50 Hz220V ±5%

9.电源保险管:参见表1


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